Простий
пошук
Розширений
пошук
Покажчики
Професійний
пошук
Рубрикатор
НБУВ
Розподілений
пошук

Бази даних

Наукова періодика України - результати пошуку

Книжкові видання та компакт-диски
Журнали та продовжувані видання
Автореферати дисертацій
Реферативна база даних
Наукова періодика України
Тематичний навігатор
Авторитетний файл імен осіб
Mozilla Firefox Для швидкої роботи та реалізації всіх функціональних можливостей пошукової системи використовуйте браузер
"Mozilla Firefox"
Вид пошуку
Повнотекстовий пошук
 Знайдено в інших БД:Реферативна база даних (8)
Список видань за алфавітом назв:
A  B  C  D  E  F  G  H  I  J  L  M  N  O  P  R  S  T  U  V  W  
А  Б  В  Г  Ґ  Д  Е  Є  Ж  З  И  І  К  Л  М  Н  О  П  Р  С  Т  У  Ф  Х  Ц  Ч  Ш  Щ  Э  Ю  Я  

Авторський покажчик    Покажчик назв публікацій


Пошуковий запит: (<.>A=Махний В$<.>)
Загальна кількість знайдених документів : 5
Представлено документи з 1 до 5
1.

Александрюк Т. Ю. 
Фотоэлектрические свойства диодов на основе монокристаллического теллурида кадмия с модифицированной поверхностью [Електронний ресурс] / Т. Ю. Александрюк, Ю. Н. Бойко, В. П. Махний, Н. В. Скрипник // Оптико-електронні інформаційно-енергетичні технології. - 2008. - № 2. - С. 182-185. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/oeiet_2008_2_33
Исследованы спектральные и интегральные характеристики фотодиодов на основе монокристаллических подложек теллурида кадмия, прошедших обработку в водной суспензии щелочных металлов.
Попередній перегляд:   Завантажити - 371.005 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
2.

Махний В. П. 
Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb [Електронний ресурс] / В. П. Махний, О. В. Кинзерская, И. М. Сенко, А. М. Слётов // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2016. - № 2-3. - С. 37-40. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2016_2-3_9
Попередній перегляд:   Завантажити - 305.761 Kb    Зміст випуску     Цитування
3.

Махний В. П. 
Получение и свойства УФ-сенсоров на подложках GaP с модифицированной поверхностью [Електронний ресурс] / В. П. Махний, Г. И. Бодюл, И. И. Герман, В. М. Склярчук // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2016. - Т. 13, № 3. - С. 67-73. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2016_13_3_8
Исследованы фотоэлектрические свойства контактов Ni - GaP на основе монокристаллических подложек n-GaP с поверхностной наноструктурой, созданной химическим травлением в расплаве KOH + HNO3 = 1:50. Спектр фоточувствительности таких структур охватывает диапазон 2,5 - 4 эВ, а напряжение холостого хода и токовая чувствительность достигают 0,9 В и 0,35 А/Вт соответственно, что значительно выше, чем у существующих аналогов.
Попередній перегляд:   Завантажити - 566.091 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
4.

Махний В. П. 
Влияние морфологии поверхности подложек ZnSe:Te на их оптические свойства [Електронний ресурс] / В. П. Махний, И. И. Герман, Г. И. Бодюл, И. М. Сенко // Технология и конструирование в электронной аппаратуре. - 2016. - № 6. - С. 36-39. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/TKEA_2016_6_7
Исследовано влияние модификации поверхности подложек ZnSe:Te на их спектры люминесценции и оптического пропускания. Путем травления подложек ZnSe:Te в растворах CrO3 : HCl = 2 : 1 и H2SO4 : H2O2 = 3 : 1 получены образцы с зеркальной и матовой поверхностями соответственно. Установлено, что для образцов с матовой поверхностью характерно существенное увеличение эффективности голубой полосы люминесценции, а также появление излучения в той области энергии фотонов, где она больше ширины запрещенной зоны селенида цинка.Досліджено вплив модифікації поверхні підкладок ZnSe:Te на їх спектри люмінесценції та оптичного пропускання. Шляхом травлення підкладок ZnSe:Te в розчинах CrO3 : HCl = 2 : 1 та H2SO4 : H2O2 = 3 : 1 одержані зразки із дзеркальною і матовою поверхнями відповідно. Встановлено, що для зразків з матовою поверхнею характерно істотне збільшення ефективності блакитної смуги люмінесценції, а також поява випромінювання в тій області енергії фотонів, де вона більше ширини забороненої зони селеніду цинку.The authors have experimentally established, that etching of ZnSe:Te substrates in CrO3:HCl=2:1 and H2SO4:H2O2=3:1 solutions leads to formation of mirror and matte surfaces. Analysis of the topogram obtained by an atomic power microscope showed that matte surface is a set of equally oriented pyramids with basis size 2-5 m and each of them is association of nanopyramids with 10-100 nm lateral size. In such samples wide photoluminescence band at 2,7-3.8 eV is a result of dimensional quantization in smaller nanocrystals. The latter also causes an observed decrease of transmission coefficient of substrates with matte surface in comparison to those with mirror surface owing to increase of light scattering processes.
Попередній перегляд:   Завантажити - 449.615 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
5.

Махний В. П. 
Определение высоты барьера контактов Ni - полупроводник фотоэлектрическим методом [Електронний ресурс] / В. П. Махний, М. М. Березовський, В. М. Склярчук, А. М. Слётов // Сенсорна електроніка і мікросистемні технології. - 2018. - Т. 15, № 2. - С. 13-19. - Режим доступу: http://nbuv.gov.ua/UJRN/seimt_2018_15_2_4
Проанализированы спектры фототока структур, полученных вакуумным напылением полупрозрачных слоев Ni на химически травленные подложки ряда полупроводников (Si, GaAs, GaP, CdTe и ZnSe) n-типа проводимости. Все структуры обладают фоточувствительностью в области энергий фотонов меньше ширины запрещенной зоны полупроводника при освещении как со стороны никеля, так и со стороны подложки. Оба эти спектральные участки, построенные в фаулеровских координатах, приводят к одинаковым значениям высоты потенциального барьера для каждого из исследуемых контактов Ni-полупроводник.
Попередній перегляд:   Завантажити - 494.997 Kb    Зміст випуску    Реферативна БД     Цитування
 
Відділ наукової організації електронних інформаційних ресурсів
Пам`ятка користувача

Всі права захищені © Національна бібліотека України імені В. І. Вернадського